IPP037N08N3 G E8181 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  IPP037N08N3 G E8181
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPP037N08N3 G E8181 RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 80 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 100 A Resistance Drain-Source RDS (on): 3.5 mOhms at 10 V Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 175 C Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Fall Time: 14 nS Gate Charge Qg: 88 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 214 W Rise Time: 79 nS Typical Turn-Off Delay Time: 45 nS Part # Aliases: IPP037N08N3GE8181XKSA1 IPP037N08N3GE818XK SP000765976
• Количество страниц
  11 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet IPP037N08N3 G E8181.pdf
Файл формата Pdf 778,88 KB